Datasheet下载- 型号： IPU09N03LA G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPU09N03LA G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPU09N03LA G价格参考。InfineonIPU09N03LA G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPU09N03LA G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPU09N03LA G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPU09N03LA G是一款N沟道MOSFET晶体管，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动中，IPU09N03LA G可以用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关：在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，该MOSFET可用作负载开关，实现快速的电路通断控制，同时减少功耗。 4. 电池管理：用于锂电池保护电路中，作为充放电路径的开关元件，确保电池的安全运行并防止过流或短路。 5. 信号切换：在音频或视频信号切换应用中，IPU09N03LA G可以用来选择不同的输入或输出通道，提供低噪声和高可靠性的切换功能。 6. 逆变器：在小型逆变器设计中，这款MOSFET可作为功率级开关，将直流电转换为交流电，适用于家用电器或照明系统。 7. LED驱动：用于恒流或恒压LED驱动电路中，控制LED亮度并保证其稳定工作。 8. 保护电路：在过流保护或短路保护电路中，该MOSFET可充当限流元件或切断故障电流的开关。 IPU09N03LA G具有低导通电阻（典型值为1.8Ω@Vgs=10V）、低栅极电荷和快速开关速度等优点，使其非常适合于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场合。此外，其耐压值为30V，适合低压系统的各类应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A TO-251 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD09N03LA_Rev2.12_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429dca44214 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPU09N03LA G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1642pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.8 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
| 其它名称 | IPU09N03LA |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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